西部数据宣布，与铠侠联合开发BiCS NAND闪存将进入第六代，堆叠层数达到162层，今年将投入量产。

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目前的3D NAND闪存已堆积到176层，美光日前宣布全球首个达到232层。

但西数指出，自己的162层闪存单元尺寸较小，只有68平方毫米，小于竞争产品69.6平方毫米或69.3平方毫米，因此存储密度较大HARTING代理可提供与竞争产品相同的单芯片容量。

西数表示，BiCS6 162层堆叠下，一个晶圆可以达到100TB目前容量只有70左右，TB。

在性能方面，西数声称他有最好的电荷捕获(Charge Trap)性能可达60个单元MB/s，比对手快一半。

西数也预测下一代BiCS 闪存，堆叠超过200层，预计将提高传输速度60%，编程带宽15%，晶圆容量55%，然后继续堆叠，2032年将超过500层！

另外，西数在PPT上海列出了PLC闪存，但没有细节。