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● 产品达到成本和性能的双重目标，现进入认证测试阶段

● 实现弹性量产和供应取得了巨大进展

半导体公司服务于多个电子应用领域，位居世界前列意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)电信、工业、国防和数据中心半导体解决方案供应商和世界排名第一MACOM控股有限公司控股有限公司(以下简称以下简称MACOM”) 宣布，射频硅基氮化镓(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于此结果，意法半导体和MACOM将继续携手深化合作。

射频硅基氮化镓可为5G和6G移动基础设施的应用带来了巨大的发展潜力。第一代射频功率放大器 (PA)金属氧化物半导体主要采用长期存在的横向扩散(LDMOS) 射频而且，功率技术GaN可以给这些射频功率放大器具有更好的射频特性和更高的输出功率。此外，虽然GaN它可以在硅片或碳化硅上制造 (SiC) 晶圆上制造，但射频碳化硅氮化镓（RF GaN-on-SiC）毕竟不是主流半导体制造工艺，要考虑与高功率应用竞争。SiC晶圆，这些都可能导致更昂贵的成本。半导体和意法 MACOM 射频硅基氮化镓技术正在开发中Tamura代理集成到标准半导体行业，在实现竞争性能的同时，也有望带来巨大的规模经济效益。

意大利半导体制造的射频硅基氮化镓原型晶圆及相关设备已达到成本和性能目标，可与市场上现有的相匹配LDMOS和 GaN-on-SiC有效的技术竞争。这些原型即将进入认证测试和量产的下一个重要阶段。半导体计划的意法 2022 实现这一新的里程碑。意法半导体和 MACOM 研究如何加大投入，加快先进射频硅基氮化镓产品上市。

半导体功率晶体管产品部总经理兼执行副总裁 Edoardo Merli我们相信，该技术的性能水平和工艺成熟度已经达到了挑战现有技术的水平 LDMOS和射频GaN-on-SiC的程度。为无线基础设施等大规模应用带来成本效益和供应链优势。我们与射频硅基氮化镓产品的商业化 MACOM 随着合作项目的不断进步，我们期待着释放这项令人兴奋的技术的所有潜力。”

MACOM 总裁兼首席执行官 Stephen G. Daly 我们继续取得良好的进展，促进硅基氮化镓技术的商业化和大规模生产。我们与意大利半导体的合作是我们射频功率战略的重要组成部分。我相信我们可以在硅基氮化镓技术的目标应用领域赢得市场份额。