6月30日，韩国三星电子正式宣布新一代环绕闸极晶体管（GAA）架构的3nm该工艺已进入量产阶段，被称为世界上第一个3nm进入生产生产厂，但市场预计三星的产能规模仍无法赶上竞争对手台积电。台积电仍保持3奈米下半年进入量产预期。据业界估计，第四季度的投资规模预计将超过1000件，包括高通、苹果和英特尔。

芯片采购网专注于整合国内外授权IC代理商现货资源，芯片库存实时查询，行业价格合理，采购方便IC芯片，国内专业芯片采购平台。

三星宣布量产GAA架构3nm该过程尚未公布首发客户和生产能力计划。外部电力报告客户包括上海盘硅半导体和中国虚拟货币挖掘机芯片厂手机芯片厂高通，但高通将根据情况投影。三星指出，3nm采用多桥通道场效晶体管（MBCFET）的GAA专利技术突破鳍场效晶体管（FinFET）架构性能有限，能以更高的效率和更小的芯片尺寸实现更好的功耗性能。

三星指出，和5nm与该工艺相比，第一代3奈米工艺可以缩小芯片尺寸面积16%，性能提高23%，功耗降低45%。至于第二代3nm芯片尺寸35%，性能30%，功耗50%，预计2023年Taitien代理三星2nm会延续采用MBCFET预计2025年技术量产。

但三星在2021年晶圆代工论坛上指出，与5奈米相比，GAA架构3nm工艺在功耗、性能和面积（PPA）优化效益与第二代3奈米工艺相同。业内人士认为，三星宣布量产的第一代3奈米应该还没有达到预期的工艺微缩目标，2023年量产的第二代3奈米可以算是真正完整的版本。

台积电3nm虽然延续FinFET结构，2022年下半年量产预期不变，3nmN3.当工艺推出时，它将是业界最先进的工艺技术，拥有最好的PPA晶体管技术。与上一代5奈米相比N5制程，N3.工艺逻辑密度将增加约70%，在相同功耗下提高10~15%，或在相同速度下降低25~30%，提供支持智能手机和高效操作的完整平台（HPC）应用。