IC台积电2.5D及3D先进的包装技术（APT）工艺平台可以缩短芯片的特殊应用（ASIC）设计周期有助于降低风险，提高良率。虽然创意第一季度的收入较淡季下降，但预计仍将是季度收入的历史，今年5奈米和7奈米委托设计（NRE）接案畅旺，ASIC量产将逐步放量，全力攻击人工智能和高效运算（AI／HPC）客制化ASIC巨大的市场商机。

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今年创意保持乐观前景，增长动能来自5奈米和7奈米AI／HPC相关芯片NRE接案畅旺，12奈米固态硬盘控制IC而扩大了网通芯片的大规模生产。此外，过去三年的创造力NRE今年，案会先后引进5奈米和7奈米量产，配合台积电晶圆OEM和先进包装产能支持，争取系统厂AI／HPC客制化ASIC外包订单深有信心。

创意发布2.5D与3D多晶粒APT平台，支持台积电CoWoS-S、CoWoS-R、InFO先进的包装技术。创意提供全方位的解决方案，包括完成硅验证的接口硅智能金融（IP）、CoWoS与InFO信号和电源的完整性、热仿真过程以及产品量产验证的可测试设计（DFT）生产试验。

创意表示，由于配备高带宽内存多年，（HBM）的CoWoS-S和InFO内部7奈米和5奈米晶粒与模拟过程相匹配GLink IP硅验证已经完成。最近创意用5奈米工艺4Gbps HBM2E物理层CMLMicrocircuits代理与控制器IP，完成了CoWoS-R测试芯片验证。

创意总经理戴尚义表示，创意去年开发了新一代HBM3、GLink-2.5D与GLink-3D等IP，并完成CoWoS-S／R与InFO设计平台验证，可以说是经历了突破性的进展。创意与台积电合作，努力减少最先进的2.5D与3D利用技术，让客户开发具有成本效益的高效产品，更快地进入量产。