上个月，三星代工（Samsung Foundry）部门悄然宣布其定位 2022 年 2 季度开始使用 3GAE 生产芯片的技术工艺。作为业内第一个使用芯片的人 GAA 晶体管的 3nm 可以看出，这个术语指的是3nm环栅晶体管和早期Vishay代理地制造 GAA 晶圆厂还必须配备必须配备新的生产工具。来自应用材料（Applied Materials）公司的下一代工具将为三星等晶圆厂提供服务 GAA 芯片制造支持。

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（来自：Applied Materials 官网 ，via AnandTech ）

为了满足芯片设计师的需求，预计新工艺将实现更低的功耗、更高的性能和晶体管密度。然而，近年来，这种组合一直难以实现 —— 晶圆厂必须克服漏电等负面影响，

为了缩放晶体管的尺寸，保持其性能和电气参数，芯片电气参数 2012 年初，从平面晶体管过渡到 FinFET(鳍场效应晶体管)增加晶体管沟与栅极之间的接触面积。

顾名思义，环栅场效应晶体管（GAAFET）沟渠是水平的，所有四面都被栅极包围，从而很好地解决了与漏电有关的尴尬。

但这还不是 GAAGET 以纳米片为基础的唯一优势 / 纳米带的 GAAFET 为了获得更高的性能或降低功耗，晶圆厂还可以调功耗。

三星的 3GAE 和 3GAP 这个过程就是使用所谓的纳米带技术。该公司甚至使用它 GAAFET 称为多桥通道场效晶体管（MBCFET），划清与纳米线竞争方案的界限。