启方半导体是韩国唯一的纯晶圆代工公司(Key Foundry)今天宣布将用于低功耗PMIC的0.18微米30V非外延BCD工艺。

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BCD双极晶体管是一种(Bipolar)、补充金属氧化物半导体(CMOS)双扩散金属氧化物半导体用于高压处理(DMOS)集成在同一芯片上的工艺技术。它广泛应用于制造功率半导体。与普通半导体相比，功率半导体需要更高的额定电压和更高的可靠性。随着功率半导体应用的扩大BCD需求也在增加。

与启方半导体现有带EPI外延层的BCD与这个新的0.18微米相比，这个新的30微米V非EPI BCD尽管去掉了工艺EPI但外延层仍保持相同的性能。与普通半导体相比，这种新工艺非常适合需要更高的电压和更高的可靠性 以及更高效的功率半导体应用。可应用于智能手机、智能手表等低功耗电源管理 DC-DC 生产充电芯片。

与导电阻相比，这种新工艺比导电阻更好(Rsp)0.18微米性能EPI BCD与保持不变的过程相比。启方半导体可提供5V至30V各种功率器件之间的选择。因为不需要这个过程EPI因此，工艺效率提高了5V提供5个电源模块V LDMOS实现高效设计的晶体管。特别值得一提的是，这种新的非EPI BCD工艺逻辑器件与现有工艺保持一致EPI BCD工艺逻辑器件与其数据库非常接近电性能（libraries） & IP与目前大规模量产工艺兼容。为了提高用户的便利性，新工艺也提供了MTP和OTP(一次性编程)IP，不需要任何额外的工艺步骤。得益于Invensense代理这些优点适用于需要存储功能的功率半导体或其他类型的应用，如移动直流-直流IC和充电器IC。

启方半导体自工艺开发初期以来，与无晶圆厂电力半导体设计客户密切沟通，以反映市场对工艺结构的需求。启方半导体于使用的地图选项和设计工具包，启方半导体增强了用户的便利性。特别是与现有产品相比，客户可以简化流程，提高产品性能。同时，这一新工艺符合汽车电子国际可靠性标准AEC Q100的Grade-1.要求不仅适用于移动设备，也适用于电机驱动等汽车动力半导体IC和直流-直流IC等。

李泰钟，启方半导体首席执行官(Tae Jong Lee)博士表示："随着功率半导体市场的快速增长，它对高度可靠和简化BCD对工艺的需求正在增加。我们将继续改进工艺技术，提供最优化BCD满足功率半导体设计公司的需求。"