5 月 29 半导体行业花了十多年时间准备极紫外线 (EUV) 新的高值孔径光刻技术 EUV 光刻（High-NA EUV）技术会比这更快。

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但为了保持半导体的性能、功率、面积和成本（PPAc）领先的制造商仍然愿意造商仍然愿意为使用新技术付费，而这种技术对于未来 3nm 等待关节点具有重要意义。因此，英特尔、三星和台积电都需要它TexasInstruments代理求都很高。

几周前，ASML 披露其在 2022 年度第一季度财务报告称，它已收到多个客户 High-NA Twinscan EXE:5200 系统 (EUV 0.55 NA) 订单。

据路透社报道，ASML 上周澄清说，他们已经得到了 5 个 High-NA 预计产品试点订单将在 2024 年交付，超过 5 需要从单需要从 2025 具有更高生产率的后续型号于年交付。

有趣的是，早在 2020 ~ 2021 年，ASML 他说他已经收到了三个客户 High-NA 意向订单共提供多达 12 设置系统。目前，英特尔、三星和台积电肯定会赢得2020年 ~ 2021 年预生产的 High-NA 机器。

此外，ASML 第一个已经开始生产了 High-NA 预计光刻系统将在 2023 年完成(原型机)并将被完成 Imec 和 ASML 客户用于研发。

ASML 的 Twinscan EXE:5200 比普通的 Twinscan NXE:3400C 机器要复杂得多，所以建造这些机器需要更长的时间。该公司希望在未来中期交付 20 套 High-NA 这可能意味着其客户将不得不竞争。

我们也在与供应链合作伙伴讨论，以确保中期 20 个 EUV 0.55NA Wennink 说。

到目前为止，唯一确认使用的是 ASML High-NA 英特尔是光刻机 18A 英特尔计划在节点 2025 年进入大规模生产， ASML 当时也开始交付 High-NA EUV 系统。但是英特尔最近已经把它放了 18A 推迟生产计划 2024 年下半年，并表示可以使用 ASML 的 Twinscan NXE:3600D 或 NXE:3800E 它可以通过多种曝光模式生产。

从这个角度来看，英特尔 18A 毫无疑问，技术将大大受益 High-NA EUV 但工具并非完全不可分割Twinscan EXE:5200 机器。商言商，虽然 18A 不一定需要新机器，但多曝光模式意味着产品周期长、生产率低、风险高、回报率低、竞争难度大。因此，英特尔肯定也希望它 18A 节点尽快到来，从而重铸过去的荣耀，从台积电手中夺回过去的地位。