高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品和全球供应商的先驱Transphorm, Inc.最近宣布推出七种参考设计，旨在加快基于氮化镓的设计USB-C PD电源适配器的研发。参考设计组合包括广泛的开放式框架设计选项，涵盖各种拓扑结构、输出和功率(45W至140W）。

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SuperGaN技术差异化优势

电源适配器参考设计SuperGaN第IV代650V FET，这些特点具有设计简单、可靠性高、性能强等优点Transphorm氮化镓器件的代名词。在最近的对比分析中，175毫欧e-mode与氮化镓器件相比，Transphorm的240毫欧SuperGaN FET在温度超过75℃在50%和100%(全)功率下，导通电阻上升幅度较低，性能较高。

电源适配器参考设计

Transphorm参考设计组合包括五个开放框架USB-C PD参考设计，频率范围从140到300 kHz。其中包括Transphorm与Silanna Semiconductor65合作开发W有源钳位反激模式(ACF)运行频率为140kHz，峰值效率为94.5%。

● (1x) 45W适配器参考设计采用准谐振反激模式(QRF)拓扑结构可提供24 W/in3的功率密度

● (3x) 65W参考设计采用适配器ACF或QRF拓扑结构可提供30个 W/in3的功率密度

● (1x) 100W功率因数校正适用器参考设计(PFC) QRF拓扑结构可提供18 W/in3的功率密度

Transphorm参考设计组合还包括两个开放框架USB-C PD/PPS参考设计，频率范围为110至140 kHz。Transphorm与Diodes Inc.利用公司合作开发了这两种解决方案ACF峰值效率超过93.5%。

● (1x) 65W参考设计采用适配器ACF拓扑结构可提供29 W/in3的功率密度

● (1x) 140W参考设计采用适配器PFC ACF拓扑结构可提供20个 W/in3的功率密度

Transphorm现场应用和技术销售副总裁Tushar Dhayagude表示：“Transphorm具有独特的优势，能够提供唯一能够广泛应用、覆盖多功率水平的氮化镓FET组合。参考设计突出了我们的低功率能力。我们提供与控制器无关的服务PQFN和TO-220装置，可大大简化设计。这些优点和其他特点都有IDT代理帮助客户快速轻松地将具有突破性功率效率水平的氮化镓解决方案推向市场。Transphorm氮化镓器件的价值。