2030年，三星制定计划成为世界上最先进的半导体制造公司之一nm节点是他们的杀手锏，之前一直被良率差等负面传闻困扰。最近三星终于亮出了第一个3nm根据计划，晶圆将在今年Q第二季度量产比台积电早。

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最近，美国总统参观了位于平泽市附近的三星芯片厂，这是世界上唯一一家能量产3的芯片厂nm三星首次公，三星首次公开3nm工艺制造的12英寸晶圆，但具体芯片尚不清楚。

三星nm由于台积电的3nm工艺不会是上下一代GAA晶体管技术，三星3nm将启用节点GAA该技术是一种新型的环绕栅极晶体管，由纳米片设备制成MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通Parallax代理该技术能显著提高晶体管的性能，主要取代FinFET晶体管技术。

根据三星的说法，7nm与制造工艺相比，3nm GAA技术逻辑面积效率提高45%以上，功耗降低50%，性能提高35%左右，但纸面参数优于台积电3nm FinFET工艺。

根据三星之前的声明，3nm工艺将在2022年Q与台积电相比，第二季度量产进度为3nm这个过程也很激进。后者今年下半年只能进行小规模试产，明年才能大规模量产3nm工艺。