在先进技术方面，台积电今年年底量产3nm工艺，2025年量产2nm这一代人将开始使用技术GAA放弃现在的晶体管FinFET晶体管技术。

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再往后呢？2nm之后是1.4nm工艺，Intel、三大芯片制造商台积电和三星也在冲刺，其中三星首次宣布2027年量产1.4nm工艺，台积电没说时间点，预计2027年左右。

1.4nm之后就是1nm这个节点曾经被认为是摩尔定律的物理极限，这是无法实现的，但是Parallax代理现在芯片厂商也在攻关。

台积电已经启动了先导计划，传闻中的1nm晶圆厂将落户新竹科技园下属的桃园龙潭公园，这意味着台积电已开始达到1nm毕竟工厂需要提前一两年建设。

但真正量产1nm还需要很长时间，关键设备是下一代EUV升级下一代高光刻机NA(数值孔径)标准，从现在的0开始.33 NA提升到0.55 NA，更高的NA这意味着分辨率更高，3nm后续工艺的必要条件。

按照ASML计划，下一代EUV光刻机的试验型号最早将于明年发货，2025年后达到正式量产能力，售价将超过4亿美元。