（2026年4月24日更新）

2016年成立的长江存储于2017年通过自主研发和国际合作设计制造了首款3D NAND闪存。2019年，长江储存晶栈 Xtacking第二代3架构D TLC闪存量产，2020年，第三代TLC/QLC研发成功推进到128层3D堆叠。

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堆叠层数通常被视为闪存领域技术先进程度的指标。DT报报道，业内人士报道，长江存储计划跳过192层，直接切入232层闪存生产。

根据此前韩国研究机构的研究机构OERI根据一份报告，三星和韩国闪存技术的差距已经缩短到两年，原因是SK海力士初，海力士将大规模生产200多层闪存，而长江存储将持续到2024年。现在，他们低估了长江存储的技术储备。据报道，长江存储预计将进入苹果供应链iPhone如果说产品供应闪存最多的话Samsung代理最终实现，无疑会有打破产业格局的动力。