高产能生产专家在基础半导体元件领域Nexperia(安世半导体)最近宣布MOSFET该设备推出了新的增强电热模型。半导体制造商通常会认为MOSFET提供模拟模型，但一般仅限于在典型工作温度下建模的少量设备参数。Nexperia全新先进模型可捕获-55℃至175℃一系列完整的设备参数在整个工作温度范围内。

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这些先进模型增加了反向二极管恢复时间和电磁兼容性(EMC)，大大提高了设备的整体精度。参数可以帮助工程师在原型设计前建立精确的电路和系统级模拟EMC评估性能。模型也有助于节省时间和资源。工程师需要确保他们的设计能够在最坏的情况下工作，但现在他们可以在特定的温度范围内模拟设计。

Nexperia与一家一级OEM目前只有这些模型是合作开发的Nexperia能满足其要求。Nexperia应用工程师Andy Berry这些新的先进电热模型旨在为设计师提供最可靠的电路模拟结果。在双脉冲测试中，模型准确预测了真实设备的行为，证明了其优异的高精度。我们的合作伙伴在初步反馈中表示，这些模型是他们见过的最准确的模型。”

继Nexperia流行的交互式应用笔记发布后，这些先进的电热模型是我们工程师团队为工程师朋友设计的一系列支持工具中最新的，计划在未来几个月内发布。这种支持外部活动的新工具旨在尽可能多Nexperia客户提供无缝设备设计。