与传统的硅设备相比，碳化硅（SiC）该装置已成为下一代低损耗半导体可行的候选装置，具有低导电阻特性和优异的耐高温、高频、耐高压性能。此外，SiC 设计师可以减少部件的使用，从而进一步降低设计的复杂性。SiC 元件的低导电阻特性有助于显著降低设备的能耗，从而有助于设计 CO2 环保产品和系统排放。罗姆在 SiC 在许多行业的应用中，功率元件和模块的开发领域处于先进地位。

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水原德健, 技术中心总经理罗姆半导体(北京)

目前市场基本按图 1 将材料功率半导体器件的应用场景用场景。硅基适用于低频高压IGBT，如果频率稍高但电压不是很高，功率不是很高，则使用硅基 MOSFET。碳化硅适用于高频高压的情况下 MOSFET。所以电压不需要很大，功率不需要很大，但频率需要很高，氮化镓适用于这种情况。目前，基于碳化硅材料的功率半导体适用于高频、高功率、高工作电压的应用。

图1

与硅相比，碳化硅具有效率高的特点，因此可以更有效地利用电动汽车电池的电能。这将有助于延长电动汽车的续航里程，降低电池体积和成本。罗姆作为碳化硅元件的龙头企业之一，早在 2010 便于行业首次量产 SiC MOSFET。罗姆于在车载领域 2012 年推出支持 AEC-Q101 认证的车载产品和车载充电器（OBC）市场份额很高。此外，罗姆碳化硅产品也用于车载 DC/DC转换器等领域。2020 年 6 月，罗姆发布了行业先进的第一名 4 低导阻抗 SiC MOSFET。本产品非常适用于车载动力总成系统和工业设备的电源，包括主机逆变器。与以往产品相比，在不牺牲短路耐受时间的前提下，成功实现了行业内较高水平的低导电阻。例如，在车载主驱逆变器中使用 IGBT 相比之下，效率可以显著提高，主要体现在逆变器的高扭矩和低速范围内NDK代理可降低功耗 6%(按国际标准WLTC 计算燃料消耗测试)。

罗姆一直在大力推动行业先进的碳化硅元件和各种具有优势的硅元件的开发和大规模生产。同时，罗姆一直致力于开发具有优异高频工作性能的氮化镓元件，为各种应用提供更广泛的电源解决方案。此外，罗姆还将有助于节能和小型氮化镓器件的产品阵容命名为EcoGaN一直致力于进一步提高设备的性能。未来，罗姆将继续发展并融入Nano PulseControl控制模拟电源技术等 IC 及其模块，通过提供能够更大程度地发挥氮化镓器件性能的电源解决方案，为社会可持续发展做出贡献。

在罗姆，SiC 业务从 SiC 衬底、延伸、晶圆到包装都构建了公司内部的一站式生产体系，不仅是设备开发，而且致力于晶圆的大口径化，通过投资最新设备提高生产效率；通过性能、质量、供应稳定，实现与朋友的差异化。

(注:本文自转载《IC2022年7月，代理商