中国芯片传来好消息，长江存储取得重大技术突破，正式打破韩国三星垄断。目前已完成192层3层D NAND闪存样品生产，预计年底大规模生产交付。

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长江存储一直是中国优秀的存储芯片企业。自成立以来，它一直保持着快速稳定的发展状态。短短三年，连续推出32层NAND闪存，64层堆栈3D NAND闪存成功进入华为Mate40手机供应链。然后为了缩短和三星，SK长江存储直接跨越96层，直接进入128层3D NAND 闪存的研发于2020年正式宣布，是行业奇迹般的崛起，拥有全领域最高单位面积的存储密度。这些，长江存储只用了三年时间就完成了同一领域需要六年时间的道路。

知识渊博的朋友应该知道，三星存储芯片的最高层数是192层，即世界顶级水平。超过200层，韩国三星未能突破技术瓶颈，无法达到批量生产水平。此前，长江已存放 推出了UFS3.闪存芯片一般规格--UC要知道，在这方面，NAND闪存的最高规格是闪存的最高规格US3.1.至于更高更先进，韩国三星只存在于理论层面，没有技术支持。那么，这意味着什么呢？

科技是第一生产力，创新是引领发展的第一动力。长江存储的技术突破引领国家发展走向更加现代化、科技化的道路。长江存储的成功离不开自身对科研发展的热爱和追求，也离不开国家对科研工作的大力支持。现储存在长江NAND 闪存芯片被广泛使用。依托世界上最大的市场中国和中国推动芯片自主化，长江存储获得了前所未有的发展机遇。现在，除了华为，长江存储也进入了苹果供应链iPhone SE 闪存芯片的供应也是中国科技力量的最佳体现。

当然，客观地说，我们在这个领域还有很多地方需要努力。毕竟，中国起步较晚，西方国家恶意封锁核心技术，导致我们比普通人付出更多的努力，但从结果来看，我们取得了跨越式的进步。此外，在行业内，其他厂商的发展速度不容忽视，三星仍在追赶224层3D闪存芯片的大规模生产计划，所以从这个维度来看，我们离世界顶级水平还有1到2年，但我们相信这个差距很快就会消除。

总的来说，长江192层的3层D NAND闪存芯片是中国芯片发展的里程碑，也意味着国产存储芯片正在追赶美国Mstar代理在韩国顶尖企业的道路上，又迈出了一大步，可以推动其他芯片技术及相关产业的发展。只有掌握科技的核心，才能真正改变人类的生产生活方式，进而影响世界的发展格局。这些都是我们努力所能做的。弘扬科学精神，传播科学思想，是新一代年轻人为社会发展和人类命运共同体建设做出的贡献。