5月13日，意法半导体和MACOM宣布成功生产射频硅基氮化镓（RF GaN-on-Si）原型。

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RF GaN-on-Si为5G和6G基础设施提供了巨大的潜力。金属氧化物半导体的长期射频功率技术横向扩散(LDMOS)早期射频功率放大器主导(PA)。对于这些射频功率放大器，GaN可以提供比LDMOS射频特性较高，输出功率明显较高。

此外，它可以是硅或碳化硅(SiC)芯片制造。由于高功率应用SiC晶圆及其非主流半导体加工的竞争，RF GaN-on-SiC可能更贵。

目前，意法半导体和MACOM先进射频交付已开始进一步研究GaN-on-Si产品速度。

半导体功率晶体管集团总经理兼执行副总裁EdoardoMerli我们相信该技术已经达到了性能水平和工艺成熟度，可以有效地挑战现有技术LDMOS和GaN-on-SiC，为大规模应用提供成本和供应链优势，包括无线基础设施和商业化，将RF GaN-on-Si我们与产品商业化MACOM下一个重要个重要里程碑。”

意MCC代理法半导体和MACOM合作早有渊源。

2018年2月，MACOM和法半导体宣布硅上氮化镓GaN合作开发协议。意大利半导体MACOM在硅上制造氮化镓射频芯片。

2019年3月，MACOM和法半导体(ST)2019年宣布扩大ST工厂在150mm硅基氮化镓产能，200mm硅基氮化镓根据需求扩产。扩产计划旨在支持世界5G基于2018年初的电信网建设MACOM和ST已公布的硅基氮化镓协议。

近日，意大利半导体发布了2022年第一季度财务报告。报告期内，公司净收入为35.5亿美元(约合人民币238.68亿元)，年增长17.6%，毛利率46.7%，年增长770个基点。净利润7.47亿美元(约50.22亿元人民币)，年增长105.1%。

公司表示，Q预计收入将达到37.5亿美元，环比增长5.8%，毛利率约46%。预计年收入将达到148亿-153亿美元。