- 制造厂商：Navitas
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-247-3
- 技术参数：SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
- G3R350MT12D现货渠道商，Navitas（纳微半导体）代理优势货源
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
G3R350MT12D 技术参数详情：
- 型号:G3R350MT12D
- 品牌:Navitas Semiconductor, Inc. (Navitas,纳微半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:最后售卖
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 4A，15V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.69V @ 2mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 15 V
- Vgs（最大值）:±15V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:334 pF @ 800 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:74W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
- G3R350MT12D优势代理货源，国内专业的Navitas芯片采购服务平台。
