- 制造厂商：Navitas
- 类别封装：分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列，封装:三塔
- 技术参数：DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
- MSRT10060D现货渠道商，Navitas（纳微半导体）代理优势货源
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MSRT10060D 技术参数详情：
- 型号:MSRT10060D
- 品牌:Navitas Semiconductor, Inc. (Navitas,纳微半导体)
- 封装:三塔
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
- 描述:DIODE MODULE GP 600V 100A 3TOWER
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- 二极管配置:1 对串行连接
- 技术:标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:600 V
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:100A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 100 A
- 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):-
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 A @ 600 V
- 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:三塔
- 供应商器件封装:三塔
- MSRT10060D优势代理货源，国内专业的Navitas芯片采购服务平台。
