- 制造厂商：Harris
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:IPAK
- 技术参数：IGBT 500V 12A IPAK
- HGTD10N50F1现货渠道商，Harris (Harris Corporation, 哈里斯)代理优势货源
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HGTD10N50F1 技术参数详情：
- 型号:HGTD10N50F1
- 品牌:Harris Corporation (Harris,哈里斯公司)
- 封装:IPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 500V 12A IPAK
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:500 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:12 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):-
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 10V，5A
- 功率 - 最大值:75 W
- 开关能量:-
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:13.4 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:-
- 测试条件:-
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
- 供应商器件封装:IPAK
- HGTD10N50F1优势代理货源，国内专业的Harris芯片采购服务平台。
