- 制造厂商：Harris
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:I2PAK（TO-262）
- 技术参数：IGBT 600V 6A I2PAK
- HGT1S3N60C3D现货渠道商，Harris (Harris Corporation, 哈里斯)代理优势货源
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
HGT1S3N60C3D 技术参数详情：
- 型号:HGT1S3N60C3D
- 品牌:Harris Corporation (Harris,哈里斯公司)
- 封装:I2PAK（TO-262）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 6A I2PAK
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:6 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，3A
- 功率 - 最大值:33 W
- 开关能量:-
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:13.8 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:-
- 测试条件:-
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
- 供应商器件封装:I2PAK（TO-262）
- HGT1S3N60C3D优势代理货源，国内专业的Harris芯片采购服务平台。
