产品参考图片
- 制造厂商：安森美
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
- 技术参数：FS3TIGBT TO247 100A 650V
- 丰富的安森美公司产品，安森美芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
FGY100T65SCDT 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FGY100T65SCDT
- 制造商：ON安森美半导体（ONSEMI）
- 描述：FS3TIGBT TO247 100A 650V
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：最後搶購
- IGBT类型：沟槽型场截止
- 电压-集射极击穿（最大值）：650V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：200A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：300A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，100A
- 功率-最大值：750W
- 开关能量：5.4mJ（开），3.8mJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：157nC
- 25°C时Td（开/关）值：84ns/216ns
- 测试条件：400V，100A，4.7 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：62ns
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-247-3
- FGY100T65SCDT优势代理货源，国内领先的安森美芯片采购服务平台。
