
- 制造厂商:安森美
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:12-WDFN
- 技术参数:MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
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FDMQ8203 技术参数详情:
- 制造商产品型号:FDMQ8203
- 制造商:ON安森美半导体(ONSEMI)
- 描述:MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
- 产品系列:GreenBridge? PowerTrench?
- 零件状态:有源
- FET类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源电压(Vdss):100V,80V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):3.4A,2.6A
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):110 毫欧 @ 3A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):5nC @ 10V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):210pF @ 50V
- 功率-最大值:2.5W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:12-WDFN
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