- 制造厂商：iDEAL
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:8-PDFN（5x6）
- 技术参数：MOSFET N-CH 150V 133A PDFN-8
- IS15M7R1S1C现货渠道商，iDEAL Semiconductor代理优势货源
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IS15M7R1S1C 技术参数详情：
- 型号:IS15M7R1S1C
- 品牌:iDEAL公司 (iDEAL Semiconductor Devices, Inc.)
- 封装:8-PDFN（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 150V 133A PDFN-8
- 包装:
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:150 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):133A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:8V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.4 毫欧 @ 23A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.1V @ 127A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:63 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3893 pF @ 75 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-PDFN（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerDFN
- IS15M7R1S1C优势代理货源，国内专业的iDEAL芯片采购服务平台。
