- 制造厂商:Vishay
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块,封装:INT-A-PAK IGBT
- 技术参数:IGBT MOD 650V 193A INTA-PAK IGBT
- VS-GT200TS065N现货渠道商,Vishay(威世)代理优势货源
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VS-GT200TS065N 技术参数详情:
- 型号:VS-GT200TS065N
- 品牌:Vishay Ametherm (Vishay,威世)
- 封装:INT-A-PAK IGBT
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MOD 650V 193A INTA-PAK IGBT
- 包装:盒
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟道
- 配置:半桥逆变器
- 电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):193 A
- 功率 - 最大值:517 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,200A
- 电流 - 集电极截止(最大值):100 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):-
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:无
- 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:INT-A-PAK IGBT
- VS-GT200TS065N优势代理货源,国内专业的Vishay芯片采购服务平台。