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- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：双 INT-A-PAK（3 + 4）
- 技术参数：IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK
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VS-GB100TH120N 技术参数详情：
- 制造商产品型号：VS-GB100TH120N
- 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
- 描述：IGBT MOD 1200V 200A INT-A-PAK
- 系列：晶体管 - IGBT - 模块
- 零件状态：停产
- IGBT类型：-
- 配置：半桥
- 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：200A
- 功率-最大值：833W
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.35V @ 15V，100A
- 电流-集电极截止（最大值）：5mA
- 不同?Vce时输入电容(Cies)：8.58nF @ 25V
- 输入：标准
- NTC热敏电阻：无
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：底座安装
- 封装：双 INT-A-PAK（3 + 4）
- VS-GB100TH120N优势代理货源，国内领先的Vishay芯片采购服务平台。
