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- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：模块
- 技术参数：IGBT MOD 650V 201A 600W
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VS-ETF150Y65N 技术参数详情：
- 制造商产品型号：VS-ETF150Y65N
- 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
- 描述：IGBT MOD 650V 201A 600W
- 系列：晶体管 - IGBT - 模块
- 零件状态：停产
- IGBT类型：NPT
- 配置：半桥逆变器
- 电压-集射极击穿（最大值）：650V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：201A
- 功率-最大值：600W
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.17V @ 15V，150A
- 电流-集电极截止（最大值）：-
- 不同?Vce时输入电容(Cies)：-
- 输入：标准
- NTC热敏电阻：是
- 工作温度：175°C（TJ）
- 安装类型：-
- 封装：模块
- VS-ETF150Y65N优势代理货源，国内领先的Vishay芯片采购服务平台。
