- 制造厂商：Vishay
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:模具
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 200V/40V 16A DIE
- SQUN700E-T1_GE3现货渠道商，Vishay（威世）代理优势货源
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
SQUN700E-T1_GE3 技术参数详情：
- 型号:SQUN700E-T1_GE3
- 品牌:Vishay Ametherm (Vishay,威世)
- 封装:模具
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 200V/40V 16A DIE
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N 沟道（双），P 沟道
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:200V，40V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc），30A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.2 毫欧 @ 9.8A，10V，75 毫欧 @ 5A，10V，30 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A，2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23nC @ 10V，11nC @ 10V，30.2nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1474pF @ 20V，600pF @ 100V，1302pF @ 100V
- 功率 - 最大值:50W（Tc），48W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:模具
- 供应商器件封装:模具
- SQUN700E-T1_GE3优势代理货源，国内专业的Vishay芯片采购服务平台。
