SISD5806DN-T1-UE3 技术参数详情：
- 型号:SISD5806DN-T1-UE3
- 品牌:Vishay Ametherm (Vishay,威世)
- 封装:PowerPAK 1212-F
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Ta），64A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.9 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1850 pF @ 40 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:5.4W（Ta）， 57W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerPAK 1212-F
- 封装/外壳:PowerPAK 1212-8SH
- SISD5806DN-T1-UE3优势代理货源，国内专业的Vishay芯片采购服务平台。
