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- 制造厂商：Vishay（威世）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-220 整包
- 技术参数：MOSFET N-CH 650V 7A TO220
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SIHF6N65E-GE3 技术参数详情：
- 制造商产品型号：SIHF6N65E-GE3
- 制造商：威世半导体（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 650V 7A TO220
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：650V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：600 毫欧 @ 3A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：48nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：820pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：31W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-220 整包
- SIHF6N65E-GE3优势代理货源，国内领先的Vishay芯片采购服务平台。
