- 制造厂商：Toshiba
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-247
- 技术参数：G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M
- TW140N120C,S1F现货渠道商，东芝半导体（铠侠Kioxia）代理优势货源
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TW140N120C,S1F 技术参数详情：
- 型号:TW140N120C,S1F
- 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
- 封装:TO-247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:182 毫欧 @ 10A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）:+25V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:691 pF @ 800 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:107W（Tc）
- 工作温度:175°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247
- 封装/外壳:TO-247-3
- TW140N120C,S1F优势代理货源，国内专业的Toshiba芯片采购服务平台。
