- 制造厂商：Toshiba
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:8-SOP Advance（5x5.75）
- 技术参数：80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 8.8MO
- TPH8R808QM,LQ现货渠道商，东芝半导体（铠侠Kioxia）代理优势货源
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TPH8R808QM,LQ 技术参数详情：
- 型号:TPH8R808QM,LQ
- 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
- 封装:8-SOP Advance（5x5.75）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 8.8MO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):79A（Ta），52A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.8 毫欧 @ 26A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 300A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1750 pF @ 40 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3W（Ta），109W（Tc）
- 工作温度:175°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOP Advance（5x5.75）
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- TPH8R808QM,LQ优势代理货源，国内专业的Toshiba芯片采购服务平台。
