- 制造厂商：Toshiba
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:TO-3P（N）
- 技术参数：IGBT 650V 60A TO-3P
- GT30J65MRB,S1E现货渠道商，东芝半导体（铠侠Kioxia）代理优势货源
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
GT30J65MRB,S1E 技术参数详情：
- 型号:GT30J65MRB,S1E
- 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
- 封装:TO-3P（N）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 650V 60A TO-3P
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):-
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:200 W
- 开关能量:1.4mJ（导通），220J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:70 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:75ns/400ns
- 测试条件:400V，15A，56 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):200 ns
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商器件封装:TO-3P（N）
- GT30J65MRB,S1E优势代理货源，国内专业的Toshiba芯片采购服务平台。
