- 制造厂商：Toshiba
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:-
- 技术参数：IGBT 600V 10A 60W TO220SM
- GT10J312(Q)现货渠道商，东芝半导体（铠侠Kioxia）代理优势货源
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GT10J312(Q) 技术参数详情：
- 型号:GT10J312(Q)
- 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
- 封装:-
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 10A 60W TO220SM
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.7V @ 15V，10A
- 功率 - 最大值:60 W
- 开关能量:-
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:-
- 25°C 时 Td（开/关）值:400ns/400ns
- 测试条件:300V，10A，100 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):200 ns
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
- 供应商器件封装:-
- GT10J312(Q)优势代理货源，国内专业的Toshiba芯片采购服务平台。
