TSM250NH10LDCR RLG 技术参数详情：
- 型号:TSM250NH10LDCR RLG
- 品牌:Taiwan Semiconductor Corporation (TSC,台湾半导体)
- 封装:8-PDFNU（4.9x5.75）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:100A, 31V, N AND N-CHANNEL DUAL
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.4A（Ta），31A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 15.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:588pF @ 60V
- 功率 - 最大值:54W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- 供应商器件封装:8-PDFNU（4.9x5.75）
- TSM250NH10LDCR RLG优势代理货源，国内专业的TSC芯片采购服务平台。
