- 制造厂商：TI
- 类别封装：分立半导体产品 > 功率驱动器模块，封装:
- 技术参数：MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
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LMG3522R030RQSR 技术参数详情：
- 型号:LMG3522R030RQSR
- 品牌:Texas Instruments (TI,德州仪器)
- 封装:
- 类目:分立半导体产品 > 功率驱动器模块
- 描述:MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 类型:MOSFET
- 配置:半桥逆变器
- 电流:55 A
- 电压:650 V
- 电压 - 隔离:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:52-VQFN 焊盘
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