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- 制造厂商：TI
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerVDFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
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CSD85312Q3E 技术参数详情：
- 制造商产品型号：CSD85312Q3E
- 制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 产品系列：NexFET?
- 零件状态：有源
- FET类型：2 N 沟道（双）共源
- FET功能：逻辑电平栅极，5V 驱动
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：39A
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：12.4 毫欧 @ 10A，8V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15.2nC @ 4.5V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2390pF @ 10V
- 功率-最大值：2.5W
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：8-PowerVDFN
- CSD85312Q3E优势代理货源，国内领先的TI芯片采购服务平台。
