- 制造厂商：SemiQ
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-247-4
- 技术参数：SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
- GP2T080A120H现货渠道商，SemiQ代理优势货源
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GP2T080A120H 技术参数详情：
- 型号:GP2T080A120H
- 品牌:SemiQ (SemiQ)
- 封装:TO-247-4
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 20A，20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 10mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:61 nC @ 20 V
- Vgs（最大值）:+25V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1377 pF @ 1000 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:188W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-4
- 封装/外壳:TO-247-4
- GP2T080A120H优势代理货源，国内专业的SemiQ芯片采购服务平台。
