GCMX3P5B120S3B1-N 技术参数详情：
- 型号:GCMX3P5B120S3B1-N
- 品牌:SemiQ (SemiQ)
- 封装:-
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:GEN3 1200V 3.6M SIC 62MM HALF BR
- 包装:盒
- 产品状态:在售
- 技术:碳化硅（SiC）
- 配置:2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):428A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 200A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 80mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1070nC @ 18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:26900pF @ 800V
- 功率 - 最大值:1250W（Tc）
- 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:-
- GCMX3P5B120S3B1-N优势代理货源，国内专业的SemiQ芯片采购服务平台。
