- 制造厂商：SemiQ
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:-
- 技术参数：GEN3 1200V 16M SIC FULL BRIDGE M
- GCMX016B120B3H1P现货渠道商，SemiQ代理优势货源
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GCMX016B120B3H1P 技术参数详情：
- 型号:GCMX016B120B3H1P
- 品牌:SemiQ (SemiQ)
- 封装:-
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:GEN3 1200V 16M SIC FULL BRIDGE M
- 包装:盒
- 产品状态:在售
- 技术:碳化硅（SiC）
- 配置:4 N 沟道（全桥）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):95A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 50A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 120mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:258nC @ 18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7100pF @ 800V
- 功率 - 最大值:246W（Tc）
- 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:-
- GCMX016B120B3H1P优势代理货源，国内专业的SemiQ芯片采购服务平台。
