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- 制造厂商：三星半导体
- 类别封装：多制层封装芯片，254FBGA
- 技术参数：SAMSUNG DRAM NAND
- 丰富的三星半导体公司产品，三星半导体芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
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KMDD60018M-B320 技术参数详情：
- 三星芯片型号：KMDD60018M-B320
- 制造商：三星半导体（SAMSUNG Semiconductor）
- 功能类别：多制层封装芯片
- eStorage 密度：32 GB
- eStorage 版本：嵌入式多媒体卡 5.1
- DRAM 密度：24 Gb
- DRAM 类型：四代超低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
- 封装：254FBGA
- 速率：3733 Mbps
- 产品状态：批量生产
- KMDD60018M-B320优势代理货源，国内领先的三星半导体芯片采购服务平台。
