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K6T1008U2E-NB10
制造厂商:
三星半导体
类别封装:
SRAM存储器IC,出厂封装
技术参数:
0
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提供当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
K6T1008U2E-NB10 技术参数详情:
三星半导体完整型号:K6T1008U2E-NB10
存储器结构:1M×8
速度:100ns
电源电压:
包装:TSOP
环保标准:
K6T1008U2E-NB10
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K9K1208UOA-YCB0
CL21A106KOFNNNE
CL32A106KATLNNE
SPMWHT541MD5WAVHSB
SPMWHT327FD3GBT0S3
STOPMW840250V2SE31
M471B5173EB0-YMA
RC3225J121CS
K4H510838C-UCB3
SPMWHT327FD5GBQMS4
CL10C0R2BB8NNNC
RC1005F330CS
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