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- 制造厂商：Renesas（瑞萨）
- 类别封装：场效应管阵列，8-PSOP
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
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UPA2756GR-E1-AT 技术参数详情：
- Renesas瑞萨完整型号：UPA2756GR-E1-AT
- 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
- 描述：MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
- 系列：-
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：105 毫欧 @ 2A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：260pF @ 10V
- 功率 - 最大值：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商器件封装：8-PSOP
- UPA2756GR-E1-AT优势代理货源，国内领先的Renesas芯片采购服务平台。
