TP70H130G4PLSG-TR 技术参数详情：
- 型号:TP70H130G4PLSG-TR
- 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
- 封装:8-PQFN（8x8）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:700V, 130MOHM GAN FET IN 8X8 PQF
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:GaNFET（氮化镓）
- 漏源电压（Vdss）:700 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:9V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:163 毫欧 @ 4A，9V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.8V @ 500A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.7 nC @ 9 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:567 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:69.4W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-PQFN（8x8）
- 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
- TP70H130G4PLSG-TR优势代理货源，国内专业的Renesas芯片采购服务平台。
