- 制造厂商：Renesas
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:3-PQFN（5x6）
- 技术参数：GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
- TP65H480G4JSG-TR现货渠道商，Renesas（瑞萨电子）代理优势货源
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TP65H480G4JSG-TR 技术参数详情：
- 型号:TP65H480G4JSG-TR
- 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
- 封装:3-PQFN（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:8V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:560 毫欧 @ 3.4A，8V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 500A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 8 V
- Vgs（最大值）:±18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:760 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:13.2W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:3-PQFN（5x6）
- 封装/外壳:3-PowerTDFN
- TP65H480G4JSG-TR优势代理货源，国内专业的Renesas芯片采购服务平台。
