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- 制造厂商：Renesas（瑞萨）
- 类别封装：单路IGBT，TO-252
- 技术参数：IGBT 600V 20A 51W TO-252
- 丰富的Renesas公司产品，Renesas芯片采购平台
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RJH60A83RDPD-E0#J2 技术参数详情：
- Renesas瑞萨完整型号：RJH60A83RDPD-E0#J2
- 制造商：瑞萨电子（Renesas Electronics）
- 描述：IGBT 600V 20A 51W TO-252
- 系列：-
- IGBT 类型：沟道
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：-
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.6V @ 15V，10A
- 功率 - 最大值：51W
- Switching Energy：230μJ （开）， 160μJ （关）
- 输入类型：标准
- Gate Charge：19.7nC
- 25°C 时 Td（开/关）值：31ns/54ns
- Test Condition：300V, 10A, 5 欧姆, 15V
- 反向恢复时间 (trr)：130ns
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 安装类型：表面贴装
- 供应商器件封装：TO-252
- RJH60A83RDPD-E0#J2优势代理货源，国内领先的Renesas芯片采购服务平台。
