- 制造厂商：Renesas
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:8-HSON（5x5.4）
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 60V 30A 8HSON
- NP29N06QUK-E1-AY现货渠道商，Renesas（瑞萨电子）代理优势货源
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NP29N06QUK-E1-AY 技术参数详情：
- 型号:NP29N06QUK-E1-AY
- 品牌:Renesas Design Germany GmbH (Renesas,瑞萨电子)
- 封装:8-HSON（5x5.4）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 30A 8HSON
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:21 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500pF @ 25V
- 功率 - 最大值:1W（Ta），44W（Tc）
- 工作温度:175°C
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerLDFN
- 供应商器件封装:8-HSON（5x5.4）
- NP29N06QUK-E1-AY优势代理货源，国内专业的Renesas芯片采购服务平台。
