- 制造厂商：Panasonic
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:ULGA004-W-1010-RA01
- 技术参数：MOSFET P-CH 12V 2.6A ULGA004
- FJ4B01120L1现货渠道商，Panasonic（松下半导体，新唐科技Nuvoton）代理优势货源
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FJ4B01120L1 技术参数详情：
- 型号:FJ4B01120L1
- 品牌:Panasonic - ATG (Panasonic,松下半导体)
- 封装:ULGA004-W-1010-RA01
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 12V 2.6A ULGA004
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:12 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.6A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:51 毫欧 @ 2A，4.5V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 2mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.7 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±8V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:814 pF @ 10 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:370mW（Ta）
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:ULGA004-W-1010-RA01
- 封装/外壳:4-XFLGA，CSP
- FJ4B01120L1优势代理货源，国内专业的Panasonic芯片采购服务平台。
