- 制造厂商：ON
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:APM21-CGA
- 技术参数：MOSFET
- NXV10V125DT1现货渠道商，ON（ONsemi，安森美）代理优势货源
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NXV10V125DT1 技术参数详情：
- 型号:NXV10V125DT1
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:APM21-CGA
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:6 N 沟道（三相逆变器）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 80A，12V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:101nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6970pF @ 50V
- 功率 - 最大值:-
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:21-PowerDIP 模块（1.370，34.80mm）
- 供应商器件封装:APM21-CGA
- NXV10V125DT1优势代理货源，国内专业的ON芯片采购服务平台。
