- 制造厂商：ON
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块，封装:22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）
- 技术参数：IGBT MOD 1200V 41A 103W 22-PIM
- NXH80B120L2Q0SNG现货渠道商，ON（ONsemi，安森美）代理优势货源
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NXH80B120L2Q0SNG 技术参数详情：
- 型号:NXH80B120L2Q0SNG
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MOD 1200V 41A 103W 22-PIM
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- IGBT 类型:-
- 配置:2 个独立式
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:41 A
- 功率 - 最大值:103 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，40A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:200 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):9700 pF @ 25 V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）
- NXH80B120L2Q0SNG优势代理货源，国内专业的ON芯片采购服务平台。
