- 制造厂商：ON
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块，封装:27-DIP
- 技术参数：IGBT MODULE 650V 50A 20MW 27-DIP
- NXH50M65L4C2ESG现货渠道商，ON（ONsemi，安森美）代理优势货源
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NXH50M65L4C2ESG 技术参数详情：
- 型号:NXH50M65L4C2ESG
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:27-DIP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MODULE 650V 50A 20MW 27-DIP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 配置:三相反相器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
- 功率 - 最大值:20 mW
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，75A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:250 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):2.608 nF @ 20 V
- 输入:单相桥式整流器
- NTC 热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:27-PowerDIP 模块（1.858，47.20mm）
- 供应商器件封装:27-DIP
- NXH50M65L4C2ESG优势代理货源，国内专业的ON芯片采购服务平台。
