NXH50C120L2C2ES1G 技术参数详情：
- 型号:NXH50C120L2C2ES1G
- 品牌:onsemi (ON,安森美)
- 封装:26-DIP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MOD 1200V 50A 20MW 26-DIP
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 配置:三相反相器，带制动器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
- 功率 - 最大值:20 mW
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.4V @ 15V，50A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:250 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):11.89 nF @ 20 V
- 输入:三相桥式整流器
- NTC 热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:26-PowerDIP 模块（1，199，47，20mm）
- 供应商器件封装:26-DIP
- NXH50C120L2C2ES1G优势代理货源，国内专业的ON芯片采购服务平台。
